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從商業(yè)軟件擬合得到的阻抗結(jié)果中確定正確的Cdl值

點(diǎn)擊次數(shù):4724 更新時(shí)間:2020-04-10

介紹

引入常相位角元件(CPE)來(lái)代替EIS測(cè)試中的電容元件,大多數(shù)商業(yè)軟件(Gamry, Scribner, Solartron等)都可以擬合EIS數(shù)據(jù)。與使用純電容獲得的擬合結(jié)果相比,CPE獲得的結(jié)果要好得多。

考慮到CPE定義了電化學(xué)EIS實(shí)驗(yàn)中表面的不均勻性以及固態(tài)EIS測(cè)試中電荷分布不均勻性,在真實(shí)體系中使用CPE能獲得更好的擬合是合理的。主要的問(wèn)題是,在商業(yè)軟件中使用CPE擬合得到的電容沒(méi)有容量的單位,即 F cm-2或者Ω-1 cm-2,而是Ω-1 cm-2 sa,其中a是CPE[1](ZCPE = Zdl(jω)-a)方程式中的指數(shù)。

論文[2-4]已討論過(guò)這一問(wèn)題,近,Hsu和Mansfeld [5]通過(guò)使用公式(1),在CPE與R并聯(lián)情況下,開(kāi)發(fā)了將容量和其真實(shí)值進(jìn)行校正的公式。

correction of capacity

其中ω”max 表示-Z’’大時(shí)的角頻率,此時(shí)與指數(shù)a無(wú)關(guān),Adl表示擬合結(jié)果。

在討論對(duì)時(shí)間常數(shù)分布不同的處理方法時(shí),M. Orazem等[6]指出,CPE與R并聯(lián)時(shí)等效電路的阻抗可用公式(2)或(3)表示。

eq2 3 equivalent circuity parallel connection

重要的是要注意,所有商業(yè)軟件擬合阻抗數(shù)據(jù)時(shí)都用的公式(3)。

近的研究表明,在0.01M NaCl溶液中的Ag[111][7]和在0.1M NaOH溶液中的Cu單晶[8]甚至不能將單晶表面視為均質(zhì),并且用Cdiff對(duì)f曲線分析研究陰離子吸附時(shí),應(yīng)該引入CPE代替Cdl。公式(4)是用CPE代替Cdl,并使用商業(yè)軟件定義的CPE得到的。

eq4 software definition of cpe

式中Adl沒(méi)有容量單位,因此有必要通過(guò)擬合Cdiff VS f曲線來(lái)校正Adl值。根據(jù)G. J. Brug等[9]的研究結(jié)果,對(duì)于CPE與Rs串聯(lián)(溶液電阻),Cdl的值可以通過(guò)公式(5)[7]得到

eq5 analysis of differential capacity

在這項(xiàng)工作中,為了確定電容真實(shí)值和用商業(yè)軟件擬合EIS得到的擬合值之間的關(guān)系,分析了對(duì)應(yīng)于CPE與R并聯(lián)的電化學(xué)過(guò)程的微分電容和阻抗。

結(jié)果和討論

考慮公式(2)和(3),可以得出結(jié)論,公式(2)似乎更加正確,因?yàn)樵谠摰仁街?,由表面不均勻性?dǎo)致的電容頻率分散與同一表面電荷轉(zhuǎn)移分布密切相關(guān),這兩個(gè)因素是互相依賴的。由公式(2)得到的微分電容為:

eq6

由公式(3)得到的微分電容為:

eq7 differential capacity derived

因此,公式(6)在單位上是正確的,而公式(7)是不正確的,需要額外的校正。

同時(shí),阻抗的實(shí)部(Z’)和虛部(Z’’)分別由公式(8)和(9)定義。

eq8 real z

 eq9 imaginary z

在將CPE視為獨(dú)立參數(shù)的條件下,如商業(yè)軟件使用的公式(3)那樣,微分電容公式如式(9)所示,Z’和Z’’由公式(10)和(11)定義,在單位上是不正確的。

eq10 11 z defined equations

fig1 z impedance diagrams

圖1是Z’ VS Z’’圖,可以看到用公式(8)和(9)得到的圖和用公式(10)和(11)是一樣的,但是在-Z’’ VS log f圖中存在很大的差異。正如Hsu和Mansfeld [5]在論文中提到的那樣,當(dāng)使用公式(8)和(9)時(shí),在-Z’’ VS log f圖(圖2)中,-Z’’ 的大值與頻率無(wú)關(guān)。通過(guò)商業(yè)軟件對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合后,可以用公式(1)獲得雙電層電容的正確值。

fig2 z vs log f diagrams

電容實(shí)際值和擬合值之間的差異是很明顯的,如圖3所示,這種差異取決于R和a的值。

fig3 dependence of adl

結(jié)論

從結(jié)果和討論中可總結(jié)為,只有在CPE與R并聯(lián)時(shí),使用公式(1)校正雙電層電容的真實(shí)值才是有效的。

參考文獻(xiàn)

  1. J. R. Macdonald, Impedance Spectroscopy Emphasizing Solid Materials and Systems, Wiley, New York, Chichester, Brisbane, Toronto, Singapore, 1987.
  2. E. van Westing, PhD Thesis, Technical University of Delft, 1992.
  3. S.F. Mertens, C. Xhoffer, B.C. De Cooman and E. Temmerman, Corrosion 53 (1997) 381.
  4. G.O. Ilevbare, J.R. Scully, Corrosion 39 (1983) 466.
  5. C.H. Hsu and F. Mansfeld, Corrosion 57 (2001) 747.
  6. M.E. Orazem, P. Shukla and M.A. Membrino, Electrochim. Acta 47 (2002) 2027.
  7. V. D. Jovic and B.M. Jovic, J. Electroanal. Chem. 541 (2003) 1.
  8. V. D. Jovic and B.M. Jovic, J. Electroanal. Chem. 541 (2003) 12.
  9. G.J. Brug, A.L.G. van Eeden, M. Sluyters-Rehbach and J. Sluyters, J. Electroanal. Chem. 176 (1984) 275.
美國(guó)Gamry電化學(xué)關(guān)鍵詞:多通道電化學(xué)工作站,電化學(xué)工作站價(jià)格,石英晶體微天平,電化學(xué)工作站廠家,電化學(xué)工作站品牌
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